此前，eMMC閃存標(biāo)準(zhǔn)占據(jù)著絕大多數(shù)的手機(jī)、平板等內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器市場(chǎng)，從eMMC 4.3時(shí)代發(fā)展到最新的eMMC 5.0標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)嵌式閃傳性能有了很大的提高。不過(guò)，從去年3月份UFS 2.0閃存標(biāo)準(zhǔn)公布以來(lái)，憑借超高速的讀寫(xiě)，大有取代eMMC的趨勢(shì)。最新發(fā)布的旗艦機(jī)型小米5，一加3和樂(lè)視Max2等機(jī)型，均采用了UFS 2.0閃存技術(shù)。面對(duì)這一趨勢(shì)，三星首先將UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用在了內(nèi)存卡上。

據(jù)最新消息，三星領(lǐng)先業(yè)界發(fā)布了一系列不同容量版本的UFS內(nèi)存卡，雖然和microSD卡長(zhǎng)得差不多，但無(wú)論是連續(xù)讀寫(xiě)還是隨機(jī)讀寫(xiě)，據(jù)三星介紹都和microSD卡不是一個(gè)數(shù)量級(jí)的。此外，由于UFS卡的金手指觸點(diǎn)和傳統(tǒng)microSD卡完全不同，因此將無(wú)法兼容。

三星表示，256GB版本的UFS內(nèi)存卡連續(xù)讀取數(shù)據(jù)的速度可以達(dá)到530M/s，連續(xù)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的速度可以達(dá)到170M/s，分別是EVO+ microSD卡讀取速的5倍，寫(xiě)入速度的2-3倍。同樣是三星發(fā)布的EVO+此前號(hào)稱是最快的microSD卡，宣傳的讀取速度是100M/s，寫(xiě)入速度50M/s（但經(jīng)一些科技媒體實(shí)測(cè)讀取速度只有80M/s，寫(xiě)入速度是20M/s）。

隨機(jī)讀寫(xiě)方面，三星表示256GB版本的UFS卡將達(dá)到40,000 IOPS（每秒輸出/輸出操作次數(shù)）的隨機(jī)讀取速率，這一數(shù)字是傳統(tǒng)microSD卡的20倍；35,000 IOPS的隨機(jī)寫(xiě)入速率，是傳統(tǒng)卡的350倍（小編再三確認(rèn)，的確是350倍）。

雖然三星宣稱很快，不過(guò)，要看到UFS卡在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中的具體表現(xiàn)之后才能下結(jié)論。據(jù)稱，三星將很可能在即將發(fā)布的Galaxy Note 7上支持UFS標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存卡擴(kuò)展，讓我們拭目以待吧。

來(lái)源：engadget，網(wǎng)易，pconline

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